RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.5
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2470
2374
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link