Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB против AMD R748G2400S2S 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Средняя оценка

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 135

Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 15.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11% выше полоса пропускания

AMD R748G2400S2S 8GB

Причины выбрать
AMD R748G2400S2S 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

AMD R748G2400S2S 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 135
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 15.2
Скорость записи, Гб/сек

11.5 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 19200

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2264 1359

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

Kingston 99U5678-029.A00G 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM