Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.5 13.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 6.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 19200

Около 1.33% выше полоса пропускания

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Причины выбрать
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 38

Около -58% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 24
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 13.9
Скорость записи, Гб/сек

12.0 6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 19200

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 2197

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB

Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

модули RAM

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM