RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
38
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3222
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link