RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
74
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
74
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1825
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link