Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB против Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Средняя оценка

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 30

Около 10% меньшая задержка
Выше пропускная способность

12800 8500

Около 1.51% выше полоса пропускания

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

10.6 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.8 5.3

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

27 30
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 10.6
Скорость записи, Гб/сек

5.3 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 8500

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1066 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1612 1479

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

модули RAM