Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 45

Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.2 11.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 24
Скорость чтения, Гб/сек

11.9 17.2
Скорость записи, Гб/сек

8.1 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2077 3118

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

Micron Technology AFLD48EH1P 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

Kingston 99U5713-003.A00G 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8

Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB

модули RAM