Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

45 57

Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.9 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.1 7.2

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 57
Скорость чтения, Гб/сек

11.9 9.2
Скорость записи, Гб/сек

8.1 7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2077 2037

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

модули RAM