RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3004
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link