Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB против Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13 12.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 44

Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.0 8.2

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

44 42
Скорость чтения, Гб/сек

13.0 12.8
Скорость записи, Гб/сек

8.2 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2069 2011

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB

модули RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB

модули RAM