RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
45
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
40
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2965
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link