Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 45

Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 16.0
Скорость записи, Гб/сек

8.0 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1992 2635

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

Kingston 9905624-014.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kllisre 0000 8GB

Kllisre 0000 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB

Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB

модули RAM

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB

модули RAM