Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 45

Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.6 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.7 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 19.6
Скорость записи, Гб/сек

8.0 16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1992 3832

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM