RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
48
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3037
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link