RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2732
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link