RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
48
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2608
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5 1GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link