Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 48

Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 28
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 17.3
Скорость записи, Гб/сек

5.9 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 3209

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-434.A00LF 4GB

Kingston 9905403-434.A00LF 4GB

Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB

Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905700-097.A00G 8GB

Kingston 9905700-097.A00G 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Kingston 9905665-020.A00G 4GB

Kingston 9905665-020.A00G 4GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Kingston 9905712-010.A00G 16GB

Kingston 9905712-010.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

AMD R7S48G2400U2S 8GB

AMD R7S48G2400U2S 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

модули RAM