Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 48

Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.4 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.4 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 28
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 19.4
Скорость записи, Гб/сек

5.9 15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 3594

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston 9965600-027.A01G 16GB

Kingston 9965600-027.A01G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM