RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
47
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2959
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link