RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
40
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.9
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3575
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link