RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
40
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.9
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3575
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link