Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 40

Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.4 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 16.7
Скорость записи, Гб/сек

8.9 15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 3552

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston 9965596-002.B00G 4GB

Kingston 9965596-002.B00G 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

модули RAM

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM