RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
76
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
76
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1809
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link