RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3066
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link