RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3938
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link