RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
22.8
Скорость записи, Гб/сек
6.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3792
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link