RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 30
    Около -20% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    20 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.7 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 8500
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    30 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.6 left arrow 20.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.8 left arrow 17.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1479 left arrow 3942

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
модули RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
модули RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
модули RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
модули RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
модули RAM
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
модули RAM