RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2088
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link