RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
3.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
3075
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link