RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
3.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
3075
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link