RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
3.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
3075
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link