Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 43

Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.7 11

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.2 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 24
Скорость чтения, Гб/сек

11.0 21.7
Скорость записи, Гб/сек

7.2 19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1393 4349

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM