RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
13.6
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3736
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link