RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
19.3
Скорость записи, Гб/сек
13.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3246
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link