RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
11.7
Скорость записи, Гб/сек
13.6
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
1832
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link