RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.7
Скорость записи, Гб/сек
13.6
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3961
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link