RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
40
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
40
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.7
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3020
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MID 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link