RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
40
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.7
12.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
40
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.7
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3180
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link