RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 66
    Около 67% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 15.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.7 left arrow 7.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    22 left arrow 66
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.7 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.7 left arrow 7.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3075 left arrow 1877

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
модули RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
модули RAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
модули RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
модули RAM