RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2657
2938
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link