SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

54 65

Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.6 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2% выше полоса пропускания

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 15.7

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 65
Скорость чтения, Гб/сек

15.7 16.2
Скорость записи, Гб/сек

11.6 8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 21300

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2511 1824

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB

Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB

Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

Kingston KHX2666C13/16GX 16GB

модули RAM