SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Kingston 9905633-017.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Средняя оценка

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 51

Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.7 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Kingston 9905633-017.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 27
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 13.7
Скорость записи, Гб/сек

8.2 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2182 2306

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

модули RAM

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB

Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

модули RAM