RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
5.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
11.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
1774
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link