RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
3564
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link