RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
3085
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link