RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
6.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2179
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link