RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
6.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3574
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link