RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
3553
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link