RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.2
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
49
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.1
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
41
Скорость чтения, Гб/сек
8.2
7.8
Скорость записи, Гб/сек
5.2
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1223
1512
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link