SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Средняя оценка

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 28

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 8.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 24
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 16.8
Скорость записи, Гб/сек

8.2 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1822 2946

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

Corsair CMR16GX4M2C 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB

Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB

Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Kingston 9905624-016.A00G 8GB

Kingston 9905624-016.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB

модули RAM