SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB против DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Средняя оценка

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Сообщить об ошибке

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

Причины выбрать
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 42

Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 22
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 17.6
Скорость записи, Гб/сек

8.0 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2535 3024

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

модули RAM