RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2583
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link