SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,978.2 10.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 66

Около -200% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 22
Скорость чтения, Гб/сек

2,929.1 16.3
Скорость записи, Гб/сек

2,978.2 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

511 2738

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB

модули RAM